本發明公開了一種采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法，包括從左到右并排設置的第一底架和第二底架，第二底架頂部的右側設置有一次粉碎機構，第一底架內壁的底部設置有低溫介入機構，第一底架內壁上方的兩側均轉動連接有轉軸，本發明涉及半導體材料加工技術領域。該采用低溫介入的半導體材料粉碎裝置及方法，通過在第二底架頂部的右側設置一次粉碎機構，第一底架內壁的底部設置低溫介入機構，利用低溫介入機構中的低溫箱、冷凝器、控制箱和導線，可以先行對半導體材料進行脆化處理，后續粉碎過程更加容易進行，配合一次粉碎機構進行粉碎箱內的往復碾壓過程，對半導體材料的初步粉碎過程，減少粉碎時間，提升粉碎效率。