本發(fā)明涉及一種P型氮化鎵材料空穴激活的方法。該方法包括按現(xiàn)有技術(shù)在襯底材料上制備GaN基器件結(jié)構(gòu)，生長P型GaN層時(shí)，反應(yīng)室氣氛中使用N2和H2的混合氣，壓力提高至310~400toor；生長溫度為800~1050攝氏度；生長P型GaN材料的同時(shí)完成對空穴的激活。本發(fā)明避免了GaN基器件結(jié)構(gòu)外延生長之后還需要進(jìn)行二次處理以激活空穴的問題，簡化了工藝步驟，節(jié)約了生產(chǎn)成本。通過該方法激活的P型GaN空穴濃度可達(dá)1E18以上，完全滿足商品化生產(chǎn)的要求。