高調制速度發光二極管及其調制方法和制造方法
- 專利號:2016102731532 類型:發明專利 瀏覽:25次 發布時間:2025-11-28
本發明提供了一種高調制速度發光二極管及其調制方法和制造方法,所述發光二極管的PN結結區包含一個雙量子阱結構,所述雙量子阱結構包括一第一量子阱和一第二量子阱,所述第一量子阱的帶隙大于所述第二量子阱的帶隙,所述第一量子阱輻射信號光,所述第二量子阱輻射輔助光,通過量子隧穿效應,所述第一量子阱和所述第二量子阱相互耦合。本發明高調制速度的發光二極管通過載流子在能量空間的動態過程,實現了載流子的超快注入與超快抽離參與信號光輻射的能量區域,降低了發光二極管光信號的上升沿與下降沿所需的時間,進而提高了發光二極管的調制速度。
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