本發明公開了一種異型低電壓高亮度LED芯片的制備方法，包括：藍寶石襯底層、成核層、第一半導體層、發光層、第二半導體層；其中LED芯片的第一半導體層、發光層、第二半導體層按田字平均分成四個區，LED芯片中間蝕刻有第二半導體層的平臺，在LED芯片第二半導體層平臺上設置有一個第二電極。結構簡單，簡化了制備工藝，同時降低了電壓、提高了亮度。