本發(fā)明提供了一種可編程多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供一襯底，并在該襯底上表面形成淺溝槽隔離溝槽；在所述淺溝槽隔離溝槽中形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的頂面高于所述襯底的上表面；在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中形成一凹槽，所述凹槽的深度、寬度和長(zhǎng)度鈞小于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的上表面以及凹槽中形成一可編程熔絲，所述可編程熔絲包括兩第一電極、分別連接兩第一電極的兩個(gè)第一垂直部分以及連接兩個(gè)第一垂直部分的第一水平部分；在所述凹槽中沉積所述隔離材料形成一隔離材料層，所述隔離材料層至少覆蓋所述第一水平部分。