本發(fā)明提供了一種半導體照明外延結(jié)構(gòu)形成方法，包括提供一基板，依次在所述基板上形成半結(jié)晶性層、3D未摻雜層，形成3D未摻雜層后排出腔體內(nèi)氮源，接著通入鎵源且不通入氮源，通入鎵源后通入氮源，通入氮源后形成N型摻雜層、有源層、P型摻雜層。本發(fā)明在形成3D未摻雜層后將腔體內(nèi)氮源排出，此時島狀結(jié)構(gòu)表面沒有氣體保護，腔體內(nèi)的高溫對島狀結(jié)構(gòu)頂部氮化鎵進行烘烤并產(chǎn)生一相對粗糙表面，通入鎵源后分解產(chǎn)生液態(tài)金屬鎵覆蓋在粗糙表面上對缺陷位錯進行填充并得到一相對平整表面，再通入氮源，氮源與液態(tài)金屬鎵表面接觸形成氮化鎵，晶格重新排序并阻斷前面形成的位錯缺陷，提高了晶體質(zhì)量。